GEM P型同轴高纯锗(HPGe)辐射探测器

HPGe Radiation Detector Energy Range - GEM Radiation Detector
ORTEC GEM辐射探测器是一款P型同轴HPGe探测器,适用于~40 keV及以上典型能量范围的γ能谱测量。

GEM系列探测器特征:
  • 效率达150%,还可应要求提高。
  • 出色的能量分辨率和峰值对称性。
  • SMART偏压选件。
  • 恶劣环境(-HE)选件。
  • 低本底碳纤维端盖选件。
  • 外加前置放大器选件适用于超高计数率应用。
  • 广泛的配置灵活性,PopTop、Streamline和机械冷却选项。
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  • 可选附件 +


    集成低温冷却系统选件(-ICS、-ICS-E)
    集成低温冷却系统(ICS)低温恒温器配备有低温冷却器,不受回温循环的影响。与使用标准型低温恒温器探测器的典型三天损失不同,ICS可以立即重新冷却,最大限度地减少因临时回温而损失的任何时间。ICS可配备内部前置放大器(-ICS)或外部前置放大器(-ICS-E)。

    集成低温冷却低本底系统(-ICS-LB)
    低本底探测器配有内置前置放大器、高纯铝端盖、高纯铝窗、高纯铝内杯,以及用于ICS集成低温冷却系统的低本底铜安装座。较低本底的材料可在特定计数时间内降低最小可探测活度(MDA),这为在低本底应用中增加样品通量提供了另一种方法。

    SMART-1选件 (-SMP)
    SMART-1选件用于监控和报告重要的系统功能,还可保存授权码并在稍后报告该码。它包括高压,因此所有仪器都不需要外部高压电源。SMART-1采用坚固的ABS模塑塑料外壳,并通过模塑应变消除密封电缆牢牢地固定在探测器端盖上。这可避免探测器因水分泄漏到高压连接器中而受到严重损坏。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置,不会干扰屏蔽体或其他硬件安装。

    超高计数率前置放大器选件(-PL)
    超高计数率前置放大器(晶体管复位前置放大器)可在1 MeV下处理高达1,000,000个计数/秒的输入计数率,并具有无反馈电阻的额外优势。

    恶劣环境选件(-HE)
    恶劣环境选件是一个坚固的碳纤维端盖,配有密封的电子设备外壳,并带有可更换的干燥剂包,用以确保电子设备保持100%干燥并指示何时需要更换干燥剂包。直径为76 mm或更大PopTop封装设计中的GEM系列探测器可配备此选件。

    远端前置放大器选件(-HJ)
    此选件让所有前置放大器和高压接头位于屏蔽之外,并将前置放大器和高压滤波器从Ge晶体的“视线”移除。对于低本底应用,此选件消除了可能增加本底的前置放大器或高压滤波器组件。

    低本底碳纤维端盖选件(-RB、-LB-C和-XLB-C)
    低本底碳纤维端盖与Al、Mg和Cu一样坚固,产生的本底少,不被腐蚀,并且可以检测低于10 keV的能量。这种较低的本底材料可在特定计数时间内降低最小可探测活度(MDA),这为在低本底计数应用中增加样品通量提供了另一种方法。碳纤维的较低Z可提供低能量窗口,而不会产生在大多数合金中发现的额外本底。

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    请参阅GEM P型同轴HPGe辐射探测器配置指南以配置探测器。