Gamma-X(GMX)N型高纯锗(HPGe)同轴辐射探测器

HPGe Radiation Detector Energy Range - GMX Radiation Detector
GAMMA-X N型同轴HPGe探测器适用于能量范围为~3 keV及以上的高性能伽马能谱测量。

GAMMA-X(GMX)探测器是一款同轴锗(Ge)探测器,具有超薄入射窗口。大多数同轴探测器具有500至1000微米厚的入射窗口,但该探测器的入射窗口是一个0.3微米厚的离子注入接触面,将较低的有用能量范围扩展至约3 keV。离子注入将产生完全稳定的接触面,其不会随着重复回温循环而恶化。此外,N型HPGe探测器已经证明能够抵抗快中子损伤。

GAMMA-X系列特征:
  • GAMMA-X效率标准产品可达100%,还可应要求提高。
  • 谱测量从3 keV向上。
  • 超薄硼离子注入辐射窗口,是康普顿抑制系统的理想选择。
  • 抗中子损伤;用户自修复中子损伤选件。
  • 出色的能量分辨率和峰对称性。
  • SMART偏压选件。
  • 恶劣环境(-HE)选件。
  • 铍窗口配有保护罩;铝或碳纤维窗口选件可免费提供。
  • 低本底碳纤维端盖选件。
  • 外加前置放大器选件适用于超高计数率应用。
  • 巨大的配置灵活性,PopTop、Streamline和机械冷却选项。
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    GAMMA-X系列探测器采用ORTEC生长的锗晶体设计,该晶体经我们位于田纳西州橡树岭的先进制造工厂加工。探测器由N型锗制成,具有扩散Li的内部接触面和离子注入硼的外部超薄接触面。

    GAMMA-X探测器在高能量和低能量下异常地表现出卓越的效率。ORTEC提供GMX系列HPGe探测器,相对效率从10%到100%甚至更高。

    ORTEC拥有一系列HPGe探测器。其中一些具有“超级规格”,即保证的能量分辨率优于通常的保证规格。

    GAMMA-X探测器的高低能量性能
    GAMMA-X探测器的高能量性能由其相对效率、分辨率和其在60Co时的峰康比定义。

    该探测器的低能量性能由其在5.9keV的分辨率、其有效表面积和探测器窗口厚度定义。

    GAMMA-X探测器的入射接触面厚度由现成源的两个峰的面积比来描述。选择的峰来自109Cd的88-keV伽马射线和来自相同源的22.16-keV Ag K x射线。保证窗口衰减率为20。

    WE =

    22.16 keV时的峰面积

    88 keV时的峰面积

    22 keV峰值/88 keV峰面积
    该规格量化了GAMMA-X探测器中入射窗口的薄度。来自109Cd源22keV和88 keV谱线的γ射线的自然比率约为21:1。GAMMA-X探测器通常显示>20:1的比率。

    铍窗
    70毫米(2.75英寸)或76毫米(3英寸)直径端盖(10至~35%)的GMX探测器配有直径为51毫米(2英寸)的Be窗口。83毫米(3.25英寸)直径端盖(约30至65%)的GMX探测器配有直径为64毫米(2.5英寸)的Be窗口。这些窗口为0.020英寸厚并在5.9-keV时具有~95%的透射系数。95毫米(3.75英寸)直径端盖(约60至100%)的探测器配有直径为84毫米(3.3英寸)的Be窗口,该窗口为0.030英寸厚。

    高压禁止和高速率指示
    GAMMA-X探测器具有高压禁止和高速率指示保护功能。如果LN2耗尽且探测器在施加高压偏压时开始回温(使用659型偏压电源时),则高压会自动关闭,以保护FET免受损坏。这通过温度传感器(位于探测器后面的底座上)实现,该温度传感器用于在分子筛脱气并产生危险的高压电弧之前关闭高压。使用回温探测器的高泄漏电流来关闭高压可能导致FET和探测器损坏。

    抗中子损伤
    在GAMMA-X探测器中,收集电子是主要的过程。快中子将产生空穴俘获中心;也就是说,带负电的缺陷会捕获空穴而不是电子。

    因此,与空穴俘获为主要过程的同轴Ge设备相比,空穴俘获为次要过程的GAMMA-X探测器对辐射损伤基本上不敏感。这些理论上的猜测已经通过实验得到证实。

    应该注意的是,一旦发生严重的辐射损伤,“最长里程”可以通过避免将探测器循环到室温来获得。对于p型或n型Ge探测器也是如此。然而,对于轻微损伤的GAMMA-X探测器(~0.1 keV衰减),回温循环甚至长时间室温保存都不会产生不利影响。

    GAMMA-X探测器应尽可能保持在接近77 K的温度,以尽量减少辐射损伤的程度。因此,为了这个目的,Streamline低温恒温器少了一个热连接,是比PopTop更好的选择。

    客户中子损伤可修复探测器
    修复中子损伤的GAMMA-X探测器可以在我们的任何全球维修机构进行,也可以由您自己在实验室进行。如需获取更多有关我们客户中子损伤可修复GAMMA-X探测器的信息,请联系我们。

  • 可选附件 +


    集成低温冷却系统选件(-ICS-E)
    集成低温冷却系统(ICS)低温恒温器配备有低温冷却器,不受回温循环的影响。与使用标准型低温恒温器探测器的典型三天损失不同,ICS可以立即重新冷却,最大限度地减少因临时回温而损失的任何时间。

    SMART-1选件 (-SMN)
    SMART-1选件用于监控和报告重要的系统功能,还可保存验证码并在稍后报告该验证码。它包括高压,因此所有仪器都不需要外部高压电源。SMART-1采用坚固的ABS模塑塑料外壳,并通过模塑密封电缆牢牢地固定在探测器端盖上。这可避免探测器因水分泄漏到高压连接器中而受到严重损坏。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置,不会干扰屏蔽罩或其他安装硬件。

    超高计数率前置放大器选件(-PL)
    超高计数率前置放大器(晶体管复位前置放大器)可在1 MeV下处理高达1,000,000个计数/秒的输入计数率,并具有无反馈电阻的额外优势。

    恶劣环境选件(-HE)
    恶劣环境选件是一个坚固的碳纤维端盖,配有密封的电子设备外壳,并带有可更换的干燥剂包,用以确保电子设备保持100%干燥并指示何时需要更换干燥剂包。直径为76 mm或更大PopTop封装设计中的GMX系列探测器可配备此选件。

    远程前置放大器选件(-HJ)
    此选件让所有前置放大器和高压接头位于屏蔽之外,并将前置放大器和高压滤波器从Ge晶体的“视线”移开。对于低本底应用,此选件消除了可能增加屏蔽罩内部本底的任何可能性,来源于前置放大器或高压滤波器组件。

    低本底碳纤维端盖选件(-RB、-LB-C和-XLB-C)
    低本底碳纤维端盖与Al、Mg和Cu一样坚固,产生的本底少,不腐蚀,并且可以检测低于10 keV的能量。这种较低的本底材料可在特定计数时间内降低最小可探测活度(MDA),这为在低本底计数应用中增加样品通量提供了另一种方法。碳纤维的低Z值可提供低能量窗口,而不会产生在大多数合金中发现的额外本底。

    低本底Be/Cu端盖选件(-RB-B、-LB-B和-XLB-B)
    如果需要低能量探测,可以在Cu端盖中安装低本底、高纯度的Be窗口,以最大限度地减少本底,低至3 keV的能量仍然可以通过探测器前窗。

    铝窗选件(-A)
    如果感兴趣的能量超过20 keV,则可以选择全铝端盖。

    碳纤维窗选件(-CW)
    碳纤维窗口可用于大于约8 keV的能量。虽然这个窗口不能通过所有较低的能量,但碳纤维的Z比Al低,并且不存在任何与Be相关的危险。

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    请参阅GMX N型HPGe同轴辐射探测器配置指南以配置探测器。