PROFILE GEM P型同轴和平面HPGe辐射探测器

HPGe Radiation Detector Energy Range - PROFILE Radiation Detector
ORTEC PROFILE系列P型高纯锗(HPGe)探测器可根据您的应用匹配晶体尺寸,从而提供最佳的计数几何形状和结果。

PROFILE GEM系列探测器特征:
  • 稳定、超薄型前接触面。
  • 标准碳纤维或可选的铍窗
  • 效率达150%,还可应要求提高。
  • 出色的能量分辨率和峰值对称性。
  • Profile型号中的晶体尺寸指定。
  • SMART偏压选件。
  • 恶劣环境选件。
  • 低本底碳纤维端盖选件。
  • PLUS前置放大器选件适用于超高速率应用。
  • 配置灵活,PopTop、Streamline和机械冷却选项。
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    • “面向应用的”P型HPGe探测器针对特定样品类型、伽马能量范围和测量几何形状进行了优化。
    • 在购买之前请先了解新HPGe探测器的性能!
    • 计数几何形状可提供给定IEEE标准相对效率的最佳绝对效率。
    • 稳定的薄前接触面,如果在室温条件下存放,不会产生前死层增长(PROFILE GEM S、SP和C系列)。
    • 保证的晶体尺寸确保了测量性能。
    • 可重现的尺寸意味着可重现的性能... 无一例外。
    • 全系列PopTop低温恒温器和选件。

    ORTEC PROFILE系列P型高纯锗(HPGe)探测器可提供特定的晶体尺寸,您可以从中选择最适合您应用的解决方案。为了帮助您确定相对效率与晶体尺寸之间的关系,我们提供了标称相对效率规格。分辨率根据IEEE标准测量。如果ORTEC探测器库存清单中有特定的PROFILE系列探测器,则可在购买前检查实际测量的规格。

    F系列PROFILE GEM探测器
    F系列PROFILE探测器采用“超方形”(直径>长度)同轴结构。这种晶体几何形状通常被称为半平面结构。对于给定的相对(IEEE)效率,F系列实现了对锗材料的“最佳利用”,它可为直接位于端盖或“靠近几何位置”的体源样品提供最大绝对计数效率,例如:

    • 在端盖顶端的点源
    • 在端盖顶端的滤纸样品
    • 在端盖顶端的瓶子和罐子的样品
    • 保健无力分析应用(例如,肺部监测)
    • 废物桶监测

    此外,超方形几何结构有助于通过降低晶体电容来改善低能量分辨率问题。

    S系列PROFILE GEM探测器

    • 具有超薄、稳定入射窗口,同时具有F系列PROFILE探测器的所有优点。
    • 出色的性能保证。
    • 低至3 keV能量下的出色灵敏度。
    • 在室温条件下长期存放,不会降低探测器的性能。

    S系列PROFILE GEM探测器采用平面晶体几何结构和专有的超薄稳定入射窗口,可提高低能效率。S系列入射窗口将有用能量范围扩展至3 keV及以下,同时保持了PROFILE系列的出色峰形和分辨率特性。

    SP系列PROFILE GEM探测器

    • 具有专有低噪声后接触面,同时具有所有F系列和S系列PROFILE探测器的所有优点。
    • 出色的分辨率性能。

    平面SP系列PROFILE GEM探测器除了采用S系列和C系列的专有超薄稳定入射窗口外,还使用了低噪声后接触级。与S系列一样,如果在室温条件下存放,前接触面依然可以在低能量下提供出色的透射率,并且不会因入射窗口损失效率。SP系列探测器的独特之处在于具有专门的后接触面,可在低能量下显着提高探测器分辨率。

    选择F系列、S系列或SP系列PROFILE GEM探测器的一般指南
    对于直接放置在端盖上的样品,探测器直径应超过样品直径的20%或更多。如果超过30%,效率增加则不明显。另外,如果探测器直径超过样品直径20%或更多,则由样品位置的不可再现性引起的误差将会最小。

    如果有预算限制,则首先选择直径最大的探测器。选择更厚的探测器将进一步提高绝对效率,特别是在更高的能量下更是如此。对于以类似于上述几何形状的样品,选择直径比样品大20%(或更多)的F系列PROFILE探测器,可确保给定相对(IEEE)效率的绝对效率最大化。选择直径比样品大20%(或更多)的S系列PROFILE探测器,可确保在3至50 keV的较低能量下具有最高的绝对效率。如果应用或情况需要在室温环境中长时间存放探测器,则选择S系列PROFILE探测器可保持优异的性能,并且在低能量范围内性能不会得到降低。与具有相同相对效率的较长、较小直径的探测器相比,超方形探测器通常可以实现更好的低能量分辨率。

    选择SP系列PROFILE探测器,可在低能量和中能量下实现卓越的分辨率性能。高分辨率优势对于多核素(多峰)识别的应用至关重要。更好的分辨率可提高峰值定位算法的性能,从而减少误报和双峰。SP系列PROFILE探测器的提供更好分辨率性能意味着改善的信噪比,这同时也意味着更低的最小可探测活度(MDA)和更短的计数时间。

    M系列PROFILE GEM探测器
    M系列探测器设计用于Marinelli杯,以提供最佳解决方案和效率。M系列探测器可提供与GEM系列探测器相同的分辨率和更高的绝对效率(低于50 keV),提供比GMX系列探测器更高的分辨率但绝对效率略低(低于50 keV)。这些在端盖直径“填满晶体”,并且长度略大于直径的情况下测得。Marinelli杯的总体绝对效率被最大化。这是最常见的样品杯,其中井直径等于其长度。此外,对于给定的相对(IEEE)效率,M系列实现了对锗材料的最佳“利用”,具有比F、S或SP系列更高的能量范围要求,可为直接放置在端盖顶面的体源样品提供最大绝对计数效率,例如:

    • 在端盖顶端的点源
    • 在端盖顶端的滤纸样品
    • 在端盖顶端的瓶子和罐子样品
    • 废物桶监测

    C系列PROFILE GEM探测器
    C系列探测器具有M系列探测器的所有优点,并结合了超薄、稳定的入射窗口。这将最低可用能量扩展至3 keV,同时保持了较高能量下的效率。除了测量241Am和210Pb等核素外,还可为更高能量的发射体提供优异的效率;所有这一切都可在一个探测器中完成。其中最大的探测器可提供单个探测器在能量大于3 MeV下所拥有的最大效率。

    选择M系列或C系列PROFILE GEM探测器的一般指南
    选择用于特定Marinelli杯的最佳M系列或C系列探测器非常简单:只需选择最贴合Marinelli杯井直径的探测器即可!

    F系列、S系列或SP系列探测器适合Marinelli的几何结构,它们具有更好的分辨率性能,但效率低于相同直径的M系列或C系列探测器。相应地,在端盖顶端测量的几何条件中,M或C系列探测器可以代替F、S或SP系列探测器。对于相同的直径,M系列或C系列可提供稍高的效率(随着能量的增加而增加)。

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    集成低温冷却系统选件(-ICS-E)
    集成低温冷却系统(ICS)低温恒温器配备有低温冷却器,不受回温循环的影响。与使用标准型低温恒温器探测器的三天典型损失不同,ICS可以立即重新冷却,最大限度地减少因临时预热而损失的任何时间。用于PROFILE系列探测器的ICS包括一个外部前置放大器。

    SMART-1选件 (-SMP)
    SMART-1选件用于监控和报告重要的系统功能,还可保存验证码并在稍后报告该验证码。它包括高压,因此所有仪器都不需要外部高压电源。SMART-1采用坚固的ABS模塑塑料外壳,并通过模塑密封电缆牢牢地固定在探测器端盖上。这可避免探测器因水泄漏到高压连接器中而受到严重损坏。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置,不会干扰屏蔽罩或其他硬件。

    超高计数率前置放大器选件(-PL)
    超高计数率前置放大器(晶体管复位前置放大器)可在1 MeV下处理高达1,000,000个计数/秒的输入计数率,并具有无反馈电阻的额外优势。

    恶劣环境选件(-HE)
    恶劣环境选件是一个坚固的碳纤维端盖,配有密封的电子设备外壳,并带有可更换的干燥剂,用以确保电子设备保持100%干燥,并带有指示何时需要更换干燥剂包。直径为76 mm或更大PopTop封装设计中的PROFILE系列探测器可配备此选件。

    远程前置放大器选件(-HJ)
    此选件让所有前置放大器和高压接头位于屏蔽之外,并将前置放大器和高压滤波器从Ge晶体的“视线”移开。对于低本底应用,此选件消除了屏蔽罩内部的任何可能增加本底的前置放大器或高压滤波器组件。

    铍窗选件(-B、-RB-B、-LB-B、-XLB-B)
    提高了3至5 keV之间的性能。

    低本底碳纤维端盖选件(-RB、-LB-C和-XLB-C)
    低背景碳纤维端盖与Al、Mg和Cu一样坚固,产生的本底少,不腐蚀,并且可以检测低于10 keV的能量。这种较低本底的材料可在特定计数时间内降低最小可探测活度(MDA),这为在低本底计数应用中增加样品通量提供了另一种方法。碳纤维的较低Z值可提供低能量窗口,而不会产生在大多数合金中发现的额外本底。

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