GAMMA-X系列探测器采用ORTEC生长的锗晶体设计，该晶体经我们位于田纳西州橡树岭的先进制造工厂加工。探测器由N型锗制成，具有扩散Li的内部接触面和离子注入硼的外部超薄接触面。
GAMMA-X探测器在高能量和低能量下异常地表现出卓越的效率。ORTEC提供GMX系列HPGe探测器，相对效率从10％到100％甚至更高。
ORTEC拥有一系列HPGe探测器。其中一些具有“超级规格”，即保证的能量分辨率优于通常的保证规格。
GAMMA-X探测器的高低能量性能
GAMMA-X探测器的高能量性能由其相对效率、分辨率和其在60Co时的峰康比定义。
该探测器的低能量性能由其在5.9keV的分辨率、其有效表面积和探测器窗口厚度定义。
GAMMA-X探测器的入射接触面厚度由现成源的两个峰的面积比来描述。选择的峰来自109Cd的88-keV伽马射线和来自相同源的22.16-keV Ag K x射线。保证窗口衰减率为20。
|
WE =
|
22.16 keV时的峰面积
|
|
88 keV时的峰面积
|
22 keV峰值/88 keV峰面积
该规格量化了GAMMA-X探测器中入射窗口的薄度。来自109Cd源22keV和88 keV谱线的γ射线的自然比率约为21：1。GAMMA-X探测器通常显示>20：1的比率。
铍窗
70毫米（2.75英寸）或76毫米（3英寸）直径端盖（10至~35%）的GMX探测器配有直径为51毫米（2英寸）的Be窗口。83毫米（3.25英寸）直径端盖（约30至65％）的GMX探测器配有直径为64毫米（2.5英寸）的Be窗口。这些窗口为0.020英寸厚并在5.9-keV时具有~95％的透射系数。95毫米（3.75英寸）直径端盖（约60至100％）的探测器配有直径为84毫米（3.3英寸）的Be窗口，该窗口为0.030英寸厚。
高压禁止和高速率指示
GAMMA-X探测器具有高压禁止和高速率指示保护功能。如果LN2耗尽且探测器在施加高压偏压时开始回温（使用659型偏压电源时），则高压会自动关闭，以保护FET免受损坏。这通过温度传感器（位于探测器后面的底座上）实现，该温度传感器用于在分子筛脱气并产生危险的高压电弧之前关闭高压。使用回温探测器的高泄漏电流来关闭高压可能导致FET和探测器损坏。
抗中子损伤
在GAMMA-X探测器中，收集电子是主要的过程。快中子将产生空穴俘获中心；也就是说，带负电的缺陷会捕获空穴而不是电子。
因此，与空穴俘获为主要过程的同轴Ge设备相比，空穴俘获为次要过程的GAMMA-X探测器对辐射损伤基本上不敏感。这些理论上的猜测已经通过实验得到证实。
应该注意的是，一旦发生严重的辐射损伤，“最长里程”可以通过避免将探测器循环到室温来获得。对于p型或n型Ge探测器也是如此。然而，对于轻微损伤的GAMMA-X探测器（~0.1 keV衰减），回温循环甚至长时间室温保存都不会产生不利影响。
GAMMA-X探测器应尽可能保持在接近77 K的温度，以尽量减少辐射损伤的程度。因此，为了这个目的，Streamline低温恒温器少了一个热连接，是比PopTop更好的选择。
客户中子损伤可修复探测器
修复中子损伤的GAMMA-X探测器可以在我们的任何全球维修机构进行，也可以由您自己在实验室进行。如需获取更多有关我们客户中子损伤可修复GAMMA-X探测器的信息，请联系我们。