D系列平面型全耗尽硅面垒型辐射探测器

主要应用
用于重离子飞行时间测量。
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  • 安装布局 +


    订购时必须指定安装座。

    A
     这是一个“环形安装座”;即硅晶片在其环上,没有输出连接器。这种不常使用的布局可应特殊要求提供。适用于40 μm100 μm的探测器。

    E  这是一种特殊类型的传输安装座,可以小心调节其四个螺钉,以避免对特别脆弱的硅晶片施加过大的压力。适用于厚度达40.0 μm的探测器。注意:通过移除螺钉,可以拆卸E安装座。V尺寸提供适合0.080螺钉、直径为1.7 mm的安装孔之间的距离。

    T  侧面的Microdot连接器(向后开口),耗尽深度>40.0 μm

    尺寸以毫米为单位。
     

    探测器尺寸 (mm2)

    W (标称)
    A  E 可拆卸的传输 T 传输
    X Y X Y Z V X Y Z
     050  8.0 15.2 3.7
    25.1 7.7 7.0 18.2 19.4 7.9 9.9
     150  13.8 22.0 3.7
    31.9 7.7 7.0 25.0 26.1 7.9 9.9
     300  19.5 27.1 3.7
    37.1 7.7 7.0 30.1 31.6 7.9 9.9
     450 23.9 30.5 3.7
    40.2 7.7 7.0 33.3 34.8 7.9 9.9
     公差 ±0.5 ±0.3
    ±0.3
    ±0.5 ±0.3 ±0.3 ±0.3 ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
  • 订购信息 +


    订购时必须指定安装座。

    除非另有说明,否则提供适用于厚度达40.0μm的E安装座;适用于厚度>40.0 μm的T型安装座。

    *所有标准完全耗尽的探测器都以特定的角度从母晶体上偏轴切割,这将最大限度地减少离子穿隧效应。可为特殊订单提供更大的面积。可为特殊订单提供其他面积和深度。

    **型号的前三位数字表示使用标准ORTEC电子设备和0.5-μs整形时间常数测得的总系统噪声宽度。噪声宽度针对每个范围和指定标称面积的最小厚度(最大电容)给出。对于高电容单元,性能取决于实际厚度和面积。


    有效面积 (mm2)


    最大厚度变化(μm

    耗尽深度15 µm
    范围7-15µm

    耗尽深度25 µm
    范围15.1-25µm

    耗尽深度40 µm
    范围25.1-40µm

    型号

    型号

    型号

    10

    ±0.5

    D-020-010-15

     

     

    50

    ±0.5

    D-035-050-15

    D-035-050-25

    D-020-050-40

    150

    ±1.0

     

    D-060-150-25

    D-035-150-40

    300

    ±1.0

     

    D-095-300-25

    D-055-300-40

    450

    ±3.0

     

    D-100-450-25

    D-090-450-40




    有效面积 (mm2)


    最大厚度变化(μm

    耗尽深度50 µm
    范围40.1-65µm

    耗尽深度75 µm
    范围65.1-85µm

    耗尽深度100 µm
    范围85.1-110µm

    型号

    型号

    型号

    50

    ±0.5

    D-015-050-50

    D-015-050-75

    D-015-050-100

    150

    ±1.0

    D-030-150-50

    D-030-150-75

    D-025-150-100

    300

    ±1.0

    D-045-300-50

    D-040-300-75

    D-030-300-100

    450

    ±3.0

    D-070-450-50

    D-060-450-75

    D-060-450-100