F系列部分耗尽硅面垒型辐射探测器

主要应用
重离子谱学。
  • 资料 +

  • 安装布局 +


    订购时必须指定安装座。

    A
     这是一个“环形安装座”;即硅晶片在其环上,没有输出连接器。这种不常使用的布局可应特殊要求提供。

    B
     背面的Microdot连接器。

    C  背面的BNC连接器。

    尺寸以毫米为单位。


    探测器尺寸(mm2)

    W (标称)
    A  B Microdot C BNC
    X Y  X Y Z X Y Z
     100  11.3 22.0 3.7
    23.6 12.3 7.1 23.6 12.3 15.9
     300  19.5 27.1 3.7
    28.6 12.3 7.1 28.6 12.3 15.9
     400 22.6 30.5 3.7
    32.0 12.3
    7.1 32.0 12.3
    15.9
     600  27.6 34.1 3.7
    36.1 12.3
    7.1
    36.1 12.3
    15.9
     900  33.9 43.2 3.7
    45.2 12.3
    7.1
    45.2 12.3
    15.9
     公差 ±0.5 ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
  • 订购信息 +


    订购时必须指定安装座。

    除非另有说明,否则提供B安装座。

    *所有标准重离子探测器都以特定的角度从母晶体上偏轴切割,这将最大限度地减少离子穿隧效应。除非以适当的字母前缀另行指定,否则提供B安装座。

    **>特殊订单的深度更大。

    †最大场强≥15 kV/cm。


    有效面积 (mm2)


    最大噪声(keV

    60 μm 部分耗尽

    型号

    100

    18

    F-018-100-60

    300

    23

    F-023-300-60

    400

    28

    F-028-400-60

    600

    33

    F-033-600-60

    900

    35

    F-035-900-60