用于研究应用的Si带电粒子辐射探测器

ORTEC提供各种耗尽厚度的硅面垒型探测器,可满足众多研究应用的需求。

*所有分辨率测量均在21±1°C下执行和保证。

**用5.486-MeV天然α粒子测量。

A 系列

B 系列

主要应用

高分辨率带电粒子光谱测量(核物理与放射化学 ,空间物理学)

粒子识别、望远镜探测器(核物理与放射化学,空间物理学)

探测器类型

部分耗尽的硅面垒

全耗尽的硅面垒

初始材料

Si

Si

有效面积范围 (mm2)

25-450

50-450

有效厚度范围 (µm)

1000-2000

150-2000

保证工作温度范围*

+25°C
30°C

+25°C
30°C

二极管结构

- N型硅铝部分耗尽

- N型硅铝全耗尽

标称等效** 窗口的截止能量

入口
800 Å Si

入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si



C 系列

D 系列

主要应用

从准直光源或光束的反向散射 - 角度相关测量(核物理)

重离子的飞行时间测量(核物理)

探测器类型

环形部分耗尽的硅面垒

平面全耗尽的硅面垒

初始材料

Si

Si

有效面积范围 (mm2)

50-450

10-450

有效厚度范围 (µm)

100-1000

15-100

保证工作温度范围*

25°C
30°C

10°C
25
°C

二极管结构

- N型硅铝部分耗尽

- N型硅铝全耗尽平面

标称等效** 窗口的截止能量

入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si

入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si



F 系列

R 系列

主要应用

重离子谱测量(核物理学)

可在空气和环境光下进行的带电粒子谱测量

探测器类型

部分耗尽的硅面垒

加固型部分耗尽硅

初始材料

Si

Si

有效面积范围 (mm2)

100-900

50-2000

有效厚度范围 (µm)

60

100-500

保证工作温度范围*

+25°C
30°C

+25°C
30°C

二极管结构

- N型硅铝部分耗尽高场强

- P型硅金部分耗尽

标称等效** 窗口的截止能量

入口
800 Å Si

入口
2300 Å Si